功率器件的主要依赖性及应用领域

负载电容（power components）是装置里反映或检测某一设备、线路的电负载的太阳能电池器件或组件。电力公司集出电路（Power Electronic Device），又称为负载太阳能电池太阳能电池器件，用于的电力公司变换和的电力公司管控电路里的大负载（上亦会指负载为数十至数千安，负载为数百伏以上）集出电路。可以分为半控HG太阳能电池器件、全控HG太阳能电池器件和不极难HG太阳能电池器件，其里电枢为半控HG太阳能电池器件，承受负载和负载容量在所有太阳能电池器件里略低于；电力公司射频元件为不极难太阳能电池器件，形态和原理有趣，工作可靠；还可以分为负载涡轮机HG太阳能电池器件和负载涡轮机HG太阳能电池器件，其里GTO、GTR为负载涡轮机HG太阳能电池器件，IGBT、电力公司MOSFET为负载涡轮机HG太阳能电池器件。

负载放大是为了让太阳能电池器件的负载管控起着或金属氧化物的负载管控起着将电源的负载转化为按照输入接收器变化的负载。

1、不控太阳能电池器件

不用通过管控接收器管控其通断的电力公司集出电路。典HG太阳能电池器件如射频元件，主要分析方法于低频整流电路。

2、半控太阳能电池器件

通过管控接收器可以管控其导通而不用管控其关断的电力公司集出电路。典HG太阳能电池器件如电枢，又称极难硅，广为分析方法于极难整流、交流调拉出、无触点射频继电器、逆变及变频等电路里，分析方法场景多为低频。

3、全控太阳能电池器件

通过管控接收器既可管控导通，又可管控其关断的电力公司集出电路。典HG太阳能电池器件如GTO（门极可关断电枢）、GTR（电力公司射频元件）、MOSFET（金属氧化物太阳能电池场效应射频元件）、IGBT（绝缘栅双极性射频元件），分析方法领域最广，广为分析方法于工业、汽车、倾角供电系统、家电等各个领域。

关于以上这几种全控太阳能电池器件，其里GTO是电枢的派生太阳能电池器件，主要分析方法在兆瓦级以上的大负载场合。

GTR属于负载管控负载太阳能电池器件，且电路符号和基本上的太阳能电池器件相符。20世纪80世纪末以来在里小负载范围内渐渐代替GTO。GTR特点鲜明，能耐冷却、大负载、封闭拉出降低是其主要优点，但是缺点也很明显，如涡轮机负载较少、能耐浪涌负载能力差、易受二次击穿而损坏，涡轮机负载大直接要求其不适合高频领域的分析方法。

MOSFET与GTR颇为显著的区别就是电荷管控。其特性是输入阻抗大、涡轮机负载小、继电器速度快、kHz高，那MOS回事完美弥补了GTR的缺点？能不用完全替代GTR呢？答案当然是不用。MOS典HG参数是导通阻抗，准确认知为能耐拉出做的越好，芯片越厚，导通电阻越好，负载能力就亦会降低，因此不用兼顾冷却和大负载就出了MOS的短板。

接下来就要同样讲讲IGBT了。IGBT是以双极HG射频元件为为首电容,以MOS为涡轮机电容的达林顿形态。其特点是不仅损耗小、能耐冷却、负载密度大、通态负载低、安全工作区域宽、能耐冲击，而且继电器频率高、易制动器、所需涡轮机负载小、涡轮机电路有趣、输入阻抗大、热稳定性好。IGBT的分析方法领域正短时间增加，逐步代替GTR、MOSFET的市场。

本文只能一同大家对负载太阳能电池器件有了初步的了解，希望对大家亦会有一定的鼓励，同时需要不断总结，这样才能减少基本知识，也青睐大家来讨论文章的一些知识点。