全球！三星电子官宣已开始量产3纳米集成电路

周四，DRAM年初，公司已开始大规模生产厂3碳纳米管半导体集成电路，视为全球性率先试作3碳纳米管集成电路的公司。这将帮助其吸引更多从新的产品，以在大厂集成电路装配领域赶超规模更大的竞争输掉惠普。

Galaxy在一份声明中表示，与传统观念的5碳纳米管集成电路相比，从新开发的第一代3碳纳米管瓷可以降低45％的功耗，性能减低23％，并减少16％的面积。

不过，这家韩国公司并没有透露其最从新大厂技术的的产品，数据分析人士看来，Galaxy本身和之外中华人民共和国企业原定将视为率先的产品。

今年据称，Galaxy为首副手执行长Kyung Kye hyun曾表示，其大厂业务范围将在中华人民共和国追寻从新的产品，因为迄今为止从汽车生产厂厂到家电产品生产厂厂的公司都急于确保降低成本，以解决全球性集成电路停滞短缺的问题，该公司原定中华人民共和国消费市场将出现高增长。

据了解，迄今为止惠普仍然是全球性最现代化的大厂集成电路生产厂厂，控制着全球性集成电路大厂消费市场约54％的份额，主要的产品包括苹果和摩托罗拉等。而据数据提供商TrendForce的数据推断，DRAM以16.3％的消费市场份额排名第二，遥遥领先于其他输掉。该公司还曾于今年年初了一项171万亿韩元（约合1320亿美元）的投资构想，期盼到2030年超越惠普，视为全球性最大者的逻辑学集成电路生产厂厂。

“我们将在有水准的技术开发方面之后积极创从新，”Galaxy公司大厂业务范围主管Siyoung Choi评论家道。

虽然DRAM是全球性率先试作3碳纳米管集成电路的公司，但根据惠普的构想，该公司将在2025年试作2碳纳米管集成电路。

数据交易商对此表示，Galaxy是闪存集成电路消费市场的压过，但在越来越新颖的大厂业务范围上，Galaxy之前被即便如此惠普超越，这使得Galaxy很难与之竞争。

Daol Investment & Securities数据交易商Kim Yang-jae表示，相对于闪存集成电路，非闪存集成电路大厂业务范围是并不相同的，种类也不算多了。迄今为止，闪存集成电路只有两种类型——DRAM和NAND驱动器，Galaxy可以专注于这一业务范围，减低效率并大量生产厂，但该公司不能在一千种并不相同的非闪存集成电路上做到同样的特性。

另外，还有数据分析人士看来，在过去一年数的时间里头，旧集成电路业务范围的收益率低于意味著，也顾虑了Galaxy与惠普的竞争。不过，该公司在今年3月初表示，其运营状况已逐步更佳。

来源：智通财经